أخبار ساخنةمعالجات وهاردوير

سامسونج تبدأ الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر



بدأت سامسونج الآن بعمليات الإنتاج المكثف للجيل الثاني من ذاكرات الوصول العشوائي DDR4 فئة 8 جيجابت بتقنية 10 نانومتر، والتي سوف تكون الأساس لذاكرة الوصول العشوائي DDR4 الخاصة بها في المستقبل.

Samsung starts mass producing second-gen 10nm RAM


اعلان





الجيل الجديد من ذاكرات الوصول العشوائي بتقنية 10 نانومتر ستكون 10٪ أسرع و15٪ أكثر كفاءة عن سابقتها.

ذاكرة 8Gb DDR4 الجديدة يمكنها القيام بعمليات تصل إلى 3،600 ميجا بت في الثانية مقارنة مع 3،200 ميجا بت في الثانية في الجيل السابق.

كل هذا يعني أن سامسونج لديها قاعدة أفضل سوف تبدأ بها قريبًا إنتاج ذاكرة وصول عشوائي أسرع لاستخدامها في الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر المحمولة وأجهزة الكمبيوتر، والساعات الذكية وجميع أنواع الأجهزة الذكية.

المصدر

اعلان
الوسوم

Sultan Alqahtani

رئيس تحرير للموقع

مقالات ذات صلة

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *

إغلاق