تقنيات متفرقة

سامسونج تبدأ في إنتاج الجيل الثاني من شرائح ذاكرة DRAM بتقنية 10 نانومتر



أعلنت شركة سامسونج في وقت سابق من هذا الشهر عن شرائح الذاكرات العشوائية الجديدة DRAM LPDDR5 بسعة 8 جيجابايت، وبعد ذلك، أصدرت الشركة إعلان آخر متعلق بهذه الشرائح. واليوم، بدأت الشركة بمرحلة الإنتاج الضخم للجيل الثاني من ذاكرات LPDDR4X بتقنية 10 نانومتر.

ستقوم هذه الشرائح بتحسين الكفاءة وخفض استنزاف البطارية للهواتف الذكية الرائدة الحالية وغيرها من تطبيقات الجوال. وبالمقارنةً مع الشرائح الحالية الأكثر استخدامًا في الأجهزة المحمولة الرائدة، تعمل شرائح الجيل الثاني على تقليل استهلاك الطاقة بنسبة %10 مع الحفاظ على نفس معدل نقل البيانات البالغ 4266 ميجابايت في الثانية.


اعلان





كما أعلنت سامسونج أنها قامت بصنع حزمة ذاكرة DRAM LPDDR4X للهواتف المحمولة بسعة 8 جيجابايت مكونة من أربعة من شرائح LPDDR4X DRAM بسعة 16 ميجابايت وتقنية 10 نانومتر. كما أضافت أن هذه الحزمة قادرة على استيعاب معدل بيانات يبلغ 34.1 جيجابايت في الثانية، مع العلم ان سماكتها أقل من الجيل الأول بنسبة %20، مما سيسمح لمصنعي المعدات الأصلية بتقليص عامل الشكل لأجهزتهم المحمولة.

المصدر

Sultan Alqahtani

رئيس تحرير للموقع

مقالات ذات صلة

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *

إغلاق