تقنيات متفرقة

IBM تبتكر طريقة لدمج الذاكرة العشوائية بالذاكرات الداخلية لأعلى سرعة

أعلنت اليوم شركة IBM عن طريقة جديدة لاستخدام تكنولوجيا phase-change memory وتمكنك من تحويل الأجهزة الالكترونية من العمل بذاكرة الوصول العشوائي RAM وذاكرة الفلاش للعمل بذاكرة أكثر سرعة، ذاكرة Phase-change أو التي يطلق عليها PCM هو نوع من أنواع التخزين الضوئي التي تعمل من خلال التلاعب في مكونات زجاج chalcogenide  وهي الطريقة التي يتم من خلالها تخزين البيانات على أقراص Blue-ray، حيث أن اتجاه التيار الكهربي يؤدي إلى تغيير خلايا PCM من التنظيم الغير متبلور (منظم) إلى الهيكل البلوري.

IBM's phase change memory

وكانت هذه التقنية في وقت ماضي استخدامها محدود وتكلفتها عالية، حيث يمكنك في المعتاد تخزين 1bit في كل خلية، مما يجعلها أقل فائدة لتطبيقات الذاكرة الرئيسية مثل الحاسوب المحمول أو ذاكرة الهاتف. بعد ذلك اكتشف باحثو شركةIBM كيفية تخزين 3bit في الخلية من خلال التعامل مع كيفية تفاعل البلورات مع درجات الحرارة العالية، وجاء في بيان لمدير شركة IBM  لبحوث الذاكرة أن تكلفة PCM ستكون أقل بكثير من من ذاكرات DRAM وأقرب إلى تكلفة ذاكرة الفلاش.

على سبيل المثال يمكن تخزين نظام تشغيل الهاتف النقال بالكامل على PCM وإطلاقه إلى الهاتف خلال بضع ثواني فقط، وجاء في بيان صحفي للشركة أنه يمكن تخزين قواعد البيانات بأكملها على PCM لاستخدامها عند الحاجة إليها.

تطبيقات الذكاء الصناعي يمكنها الاستفادة من PCM، وآلات تعلم الرياضيات تستفيد أيضًا من نظام التخزين هذا من خلال تخزين مجموعة كبيرة من البيانات وعلقت الشركة أن هذه  الآلات تتطلب قاعدة بيانات كبيرة وقراءتها بسرعة كبيرة.

عند مقارنة PCM بذاكرة فلاش التي يمكنها تحمل 3000دورة تخزين نجد أن PCM يمكنه أن يصل لتحمل حوالي 10 مليون دورة تخزين، مما يجعل هذا النظام يعد بمثابة طفرة  في تكنولوجيا تخزين البيانات.

المصدر 

الوسوم

مقالات ذات صلة

اترك تعليقاً

لن يتم نشر عنوان بريدك الإلكتروني. الحقول الإلزامية مشار إليها بـ *